Растровый электронный микроскоп высокого разрешения JIB-4601F Multibeam с ионной пушкой для микротравления

Тип источника электронов	термополевой эмиттер (катод Шоттки)
Пространственное разрешение	1,2 нм при 30 кВ, 3 нм при 1 кВ
Энергия электронного луча	от 200 эВ до 30 кэВ
Увеличение	от 50 до 1 000 000 крат
Ток луча	до 200 нА
Аналитические приставки-опции	система энергодисперсионного микроанализа, система анализа дифракции отражённых электронов, система спектрального анализа катодолюминесценции, детектор прошедших электронов
Источник ионов	источник ионов галлия
Пространственное разрешение при сканировании ионным пучком	5 нм при 30 кВ
Ускоряющее напряжение ионной пушки	от 5 до 30 кВ
Увеличение при сканировании ионным пучком	от 30 до 300 000 крат
Максимальный ток ионной пушки	30 нА
Дополнительное обородувание	дополнительные газовые инжекторы